这一时期，米国人是全球半导体产业绝对的领导者。

这一时期全球半导体硅含量从0到5的提升过程中，大型机和小型机从发明到普及，米国人抓住了历史的机遇。

1975-1985年的第一次DRAM世界大战-美日半导体战争中，米国人在DRAM的竞争中开始全面被日本人赶超，DRAM的全球市场份额从峰值的90左右，大幅度下滑到20。

这使得米国半导体在全球半导体产业中的占比从峰值的90滑落到40左右。

米国人在DRAM的失败，最主要在于16K、64K、256K DRAM的研制上，全面落后于日本人。以16K DRAM为例，日本人通过二层多晶硅技术使得DRAM芯片的集成度达到37000，这比起当时莫斯泰克、英特尔主流产品的集成度11000整整提升了236。

从1986-2016年，米国人开始捡起了央格鲁-撒克逊人的传统政策-均衡政策，通过1986、1991年两次签署的《美日半导体协议》对日本人进行限制。

日本人强大，就扶持韩国人抗衡；韩国人强大，就借助台湾人进行制约，保持着在全球半导体产业竞争中的均衡优势。

而日本人通过循环位线、折叠数据线等新技术的应用，率先推出64K DRAM，集成度再次提升到155000，这比起的11000集成度，又提高13倍，这时候米国人已经基本没有能力追赶了。

这一时期米国人在科技红利投入上，特别是有效研发投入上是低于日本人的，双方之间的DRAM军备竞争已经不在一个层面上进行的。

日本人通过64K DRAM，宣告全球半导体工业进入了新的时期-大规模集成电路时代。

科技思想上的落后使得米国人几乎错失了一个时代，米国50家半导体公司联合起来，秘密结为同盟，希望能够在256K DRAM反超日本人。

但是，日本人凭借“官产学”三位一体的国家力量，领先于米国人早早就实现了256K DRAM的规模量产。

米国的DRAM和半导体工业产值在全球市场占有率中的发展趋势：独立自主的、完整的半导体工业体系，完善的人才培养体系。

米国人在1975年之前，通过军工国防的投入领先全球建立了独立自主的、完整的半导体工业体系。同时米国人创造硅晶体管、集成电路、MOS、CMOS和DRAM等一系列半导体科技的基础。

英特尔凭借着在MOS、晶体管等技术的领先优势，通过1K DRAM，硅片直径为50mm，芯片面积为5mm2，集成度为5000，占据了全球半导体DRAM内存市场的9的市场份额。

随后莫斯泰克公司在4K DRAM，硅片直径为75mm，芯片面积为9mm2，集成度为11000。

通过单晶体管单元，差分读出技术和地址复用技术等科技红利的技术创新取代了英特尔，就集成度而言，全球半导体最先进的DRAM集成度从5000提升到11000，增长了120。

日本人的256K DRAM，采用三层多晶硅和冗余技术等新技术，将集成度再次推高到555000，这在当时是无法想象的。

米国人在整个美日半导体战争的失败，可以说，全球半导体工业从MOS晶体管、集成电路时代向超大规模集成电路(VLSI)时代转变过程中的失败。

关键原因在于科技红利投入，特别是有效研发投入上的落后。

而这一时期是第一次全球半导体硅含量提升周期，因为大型机、小型机的渗透率快速提升。

全球半导体硅含量从5快速提升到20，全球半导体工业产值从5亿美金，首次突破1000亿美金。

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大的，但长期来看是利好整个产业向高端迈进。

在半导体工业的历史长河中，三次全球半导体硅含量提升周期中，回首检视米国、日本、韩国、欧洲、天朝台湾省等全球半导体大国/地区兴衰成败。

夫以铜为镜，可以正衣冠；以古为镜，可以知兴替；以人为镜，可以明得失。

全球半导体硅含量提升周期，就是全球半导体工业的历史长河。

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