从米国SUN公司引进JAVA处理器技术。

从法国STM(意法半导体)引进DSP芯片技术。

从英国ARM引进音视频处理芯片技术。

与日本东芝、NEC、冲电气(OKI)展开新型闪存FLASH方面的技术合作等。

客观而言，产业链横向扩张对于天朝是很难复制的，因为西方列强根本不会对天朝输出半导体集成电路芯片的核心技术。

（本章未完，请点击下一页继续阅读）

这就是大家所熟悉的，韩国人在半导体领域的所谓的第一次“反周期投资”。

从1992-1999年，韩国人通过持续科技红利之有效研发投入进一步夯实64M DRAM胜利果实的基础上，通过压强原则，扩大对日本人的竞争优势，完成了从追赶到超越的大逆袭过程。

1990年，16M DRAM，韩国人推出的时间滞后于日本人3个月。

1992年，64M DRAM，韩国人略微领先于日本人。

到1998年，韩国人全球第一个开发256M DRAM、128M SDRAM、128M FLASH。

即使天朝诸多企业溢价用巨额资金购买也是诸多困难。

但坚持产业链的横向扩张，这是成为半导体强国的必经之路。

1992年三星全球第一个成功研制64M DRAM。64M DRAM，硅片直径为200-250mm，芯片面积为135mm2，集成度为140000000。

采用的主要技术为超净技术和3.3V低电压化技术。

在集成度方面，韩国人是

韩国工贸部在汉城南部80公里的松炭和天安，设立两个工业园区，专门供给半导体设备厂商设厂。

为了获取先进技术，韩国人以优厚条件招揽米国化工巨头杜邦、硅片原料巨头MEMC、日本DNS(大日本网屏)等厂商，在韩国设立合资公司。

由此，韩国人半导体产业链上游关键设备和电子化学品原材料初具规模。

第四，产业链横向扩张，从存储器芯片到CPU芯片、DSP芯片等。

以三星为例，通过与米国、欧洲企业建立联盟合作关系，三星在DRAM之外，获得了大量芯片产业资源。

到1999年，韩国人全球第一个开发1G DRAM。

在著名的《科技红利大时代》一书中，首次提出科技红利、有效研发投入和压强系数等科技红利的研究思想。

从科技红利思想的角度，庞煖们看看韩国人又是如何通过提高压强系数，实现对日本人的逆袭。

1992年韩国人64M DRAM略微领先于日本人和米国人成功研制后，韩国人并没有停下科技红利之有效研发投入。

1993年反而通过压强原则，重点攻击，科技红利之有效研发投入同比增长70.19%，巩固对日本人的领先优势。

1989年三星第一块4M DRAM与日本人几乎是同时投放市场的。

1992年，三星开始领先日本，推出全球第一个64M DRAM产品。

而同时期的日本半导体工业，从1985年开始日本经济进入泡沫化，全民炒房。

1985年日本人砍掉了40%的设备更新投资和科技红利投入。

1986-1987年日本人有效研发投入从4780亿日元降低到只有2650亿日元，下降幅度达80%，这就给韩国人反超的机会。

1995年韩国人再次快速提升压强系数，科技红利之有效研发投入再次大幅度提升，同比增速高达96.82%。

1996-1997年连续两年保持高位压强系数状态。

这才有了1998年128M SDRAM、128M FLASH、256M DRAM、1G DRAM的全球第一个推出市场，从而完美的实现大逆袭。

第三，产业链垂直一体化，加强上游设备和电子化学品原材料的国产化。

上世纪90年代，韩国政府主导推出总预算2000亿韩元(2.5亿美元)的半导体设备国产化项目，鼓励韩国企业投资设备和电子化学品原料供应链。

160 天然优势，背靠祖国 (第1/3页)

DRAM（Dynamic Random Access Memory），即动态随机存取存储器，最为常见的系统内存。也是在计算机、手机等设备中最常见的基础芯片。

三星第一块64K DRAM投放市场时是1984年，比日本人足足晚了40个月。

第一块256K DRAM投放市场时是1986年，比日本人晚了24个月。

第一块1M DRAM投放市场时是1986年，比日本人只晚了12个月。

阅读穿梭在历史大事件中的将军最新章节 请关注凡人小说网(www.washuwx.com)