其中，海力士和意法半导体出资10亿美金，主要是2亿美金的二手设备折价、5.5亿美金现金和2.5亿美金股东贷款。另外10亿美金由无锡市政府承担。

另外，在20亿美金总投资之外，无锡市政府还承担厂房建设，无锡市政府一共出资3亿美元建设两座占地54万平方米，面积32万平方米的晶圆厂房，租赁给韩国海力士及意法半导体使用。

2006年海力士90纳米技术生产的8英寸晶圆顺利下线，合格率超过95%。

工商银行江苏分行牵头，11家中资银行、9家外资银行组成贷款团对无锡海力士项目放贷5年期的7.5亿美金贷款。

海力士拿着韩国利川工厂淘汰的8英寸晶圆设备，依靠天朝资金、土地、工人和天朝市场，用区区3亿美金撬动了一项20亿美金的投资。

2008年全球金融危机爆发后，一年时间内，全球DRAM产业累计亏损超过125亿美金，苔弯省DRAM产业更是全线崩盘。

南亚科，从2007年起连续

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至此，韩国人全面崛起于日韩半导体战争，成为全球半导体工业大国。

再次回顾韩国人崛起的历史过程。

1968-1980年，在米国人帮助下，韩国人完成追赶，初步建立了半导体工业体系。

半导体工业产值从不足2000万美元，增加到15亿美金以上。

半导体出口产值从300万美金，增加到11亿美金以上。

面对东南亚危机，依托天朝市场战略纵深，韩国人仅用2年时间就恢复了元气。

特别是海力士，2000年，DRAM整体月产量由第三季度的6500万颗，第四季度就快速扩增到8000万颗，增长了23.07%。

同时128M以上产品的生产比重由20%提高到36%。

128M DRAM：3个月内，月产量由650万颗提高到1400万颗，增长了115%。

256M DRAM：4个月内，月产量由40万颗提高到140万颗，增长了250%，生产比重由2.4%提高到6%。

第一，挺进天朝大陆市场，构筑广阔的战略纵深。

如同日韩半导体战争中，米国人放开米国国内市场给韩国人一般。挺进天朝大陆市场，韩国人具有了广阔的战略纵深。

庞煖们以海力士为例：

陷入1997年东南亚金融危机的韩国海力士(Hynix)，以3.8亿美金的价格，将TFT-LCD部门整体售给京东方，海力士就此专注于DRAM领域，并获得宝贵的资金和天朝市场。

2004年，海力士和意法半导体在无锡设立12寸晶圆厂，项目总投资20亿美金。

1980-1985年，韩国人在米国人扶持下，仅仅用5年时间快速完成并掌握16K、64K 、256K DRAM的关键技术的研制，一举超越日本人过去三十年的所有努力。

5年时间，韩国半导体工业产值达41.87亿美金，期间增长176%。

韩国半导体出口产值达25.33亿美金，期间增长113%。

1986-1997年，第二次DRAM世界大战-日韩半导体战争爆发。

米国人“扶韩抗日”，在米国人全力扶持下，特别是1985、1991年《美日半导体协议》的签署，到1994年韩国人在64M、256M DRAM完成对日本人的从追赶到领先。

1996年，韩国三星的DRAM芯片出口额达到62亿美金，居世界第一。

日本NEC居第二。

韩国现代以21.26亿美金居第三位。

韩国LG以15.4亿美金居第九位。

不到十年时间，韩国人一举打垮日本人，牢牢占据了全球半导体内存市场。

这一时期，韩国半导体工业产值超过225亿美金，期间增长437%。

韩国半导体出口产值131亿美金，期间增长418%。

韩国人完成从半导体发展天朝家到全球半导体大国的转变。

1998-2010年的第三次DRAM世界大战-韩台半导体战争，韩国人完成了自身DRAM核心技术的“米国基因”转型为“独立自主基因”，最终实现了从半导体大国蜕变为半导体强国。

在这一时期，韩国人主要的成功经验有：

160 天然优势，背靠祖国 (第2/3页)

日本人的360%。

依靠64M DRAM，三星超越日本NEC，首次成为全球第一大DRAM内存制造商。

此后，韩国开始制霸之路，连续25年蝉联世界第一。

韩国成为全球半导体内存市场第四个霸主。

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